Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах a-SiO[x]/диэлектрик по результатам синхротронных исследований - Статьи - Базы данных - БГТУ

Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах a-SiO[x]/диэлектрик по результатам синхротронных исследований

Авторы: Турищев, С. Ю. Терехов, В. А. Коюда, Д. А. Ершов, А. В. Машин, А. И. Паринова, Е. В. Нестеров, Д. Н. Грачев, Д. А. Карабанова, И. А. Домашевская, Э. П.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
Автор	Турищев, С. Ю.
Заглавие	Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах a-SiO[x]/диэлектрик по результатам синхротронных исследований
Физич. носитель	Электронный ресурс
Аннотация	Изучен вопрос эффективности контролируемого формирования массивов кремниевых наночастиц на основе детальных исследований электронного строения многослойных нанопериодических структур a-SiO[x] /SiO[2], a-SiO[x]/Al[2]O[3] и a-SiO[x] /ZrO[2]. С применением синхротронного метода спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения обнаружена модификация исследованных структур под влиянием высокотемпературного отжига при максимальной температуре 1100°C, объясняемая образованием нанокристаллов кремния в слоях светоизлучающих многослойных структур.
Ключевые слова	нанокристаллы кремния
Другие авторы	Терехов, В. А.
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2017
Прочая информация	Т. 51, вып. 3. - С. 363-366
Имя макрообъекта	Турищев_формирование