| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679155177 |
| Дата корректировки | 14:27:01 9 июля 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2017.03.44208.8374 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Турищев, С. Ю. |
| Заглавие | Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах a-SiO[x]/диэлектрик по результатам синхротронных исследований |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Silicon nanocrystals formation in multilayered nanoperiodical a-SiO[x] /dielectric structures by synchrotron investigations | |
| Библиография | Библиогр.: 22 назв. |
| Аннотация | Изучен вопрос эффективности контролируемого формирования массивов кремниевых наночастиц на основе детальных исследований электронного строения многослойных нанопериодических структур a-SiO[x] /SiO[2], a-SiO[x]/Al[2]O[3] и a-SiO[x] /ZrO[2]. С применением синхротронного метода спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения обнаружена модификация исследованных структур под влиянием высокотемпературного отжига при максимальной температуре 1100°C, объясняемая образованием нанокристаллов кремния в слоях светоизлучающих многослойных структур. |
| Служебное примечание | Грачёв, Д. А. |
| Ключевые слова | нанокристаллы кремния |
|
кремний многослойные нанопериодические структуры кремниевые наночастицы светоизлучающие многослойные структуры спектроскопия синхротронное излучение |
|
| Другие авторы | Терехов, В. А. |
|
Коюда, Д. А. Ершов, А. В. Машин, А. И. Паринова, Е. В. Нестеров, Д. Н. Грачев, Д. А. Карабанова, И. А. Домашевская, Э. П. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 3. - С. 363-366 |
| Имя макрообъекта | Турищев_формирование |
| Тип документа | b |
