-
Фотоанодирование n-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения
Ли, Г. В., Лихачёв, А. И., Астрова, Е. В., Лихачев, А. И.
Фотоанодирование n-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 119-131
Ли_фотоанодирование
-
Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства
Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Надточий, А. М., Хакимов, Р. Р., Маркеев, А. М., Воробьев, А. А., Гусева, Ю. А., Лихачев, А. И., Колодезный, Е. С., Жуков, А. Е.
Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства, И. А. Мельниченко, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.]
1 файл (598 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 8. - С. 1112-1117 .-
-
Влияние перекиси водорода на фотоанодирование n-Si в режиме пробоя
Ли, Г. В., Лихачёв, А. И., Астрова, Е. В., Лихачев, А. И.
Влияние перекиси водорода на фотоанодирование n-Si в режиме пробоя, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1614-1624
Ли_влияние
-
Квантовые точки ”ядро–оболочка“ Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
Сресели, О. М. , Лихачёв, А. И., Неведомский, В. Н., Лихачев, А. И., Яссиевич, И. Н., Ершов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Андреев, Б. А., Яблонский, А. Н.
цв. ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 2. - С. 129-137 .-
Сресели_квантовые
-
Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
Редьков, А. В., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Котляр, К. П., Лихачев, А. И., Нащекин, А. В., Сошников, И. П.
Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 3. - С. 433-440 .-
Редьков_эволюция
