Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Фотоанодирование n-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения
Поиск

Фотоанодирование n-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения

Авторы: Ли, Г. В. Лихачёв, А. И. Астрова, Е. В. Лихачев, А. И.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Фотоанодирование n-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения
Электронный ресурс
Ключевые слова электрохимическое травление
Физика и техника полупроводников
2019
Т. 53, вып. 1. - С. 119-131
Имя макрообъекта Ли_фотоанодирование