Поиск

Фотоанодирование n-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения

Авторы: Ли, Г. В. Лихачёв, А. И. Астрова, Е. В. Лихачев, А. И.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/694168587
Дата корректировки 8:55:33 30 декабря 2021 г.
10.21883/FTP.2019.01.46999.8897
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Ли, Г. В.
Фотоанодирование n-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения
Электронный ресурс
Photoanodization of n-Si in the presence of hydrogen peroxide: voltage dependence
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 13 назв.
Аннотация Исследованы закономерности процесса электрохимического травления n-Si с низким уровнем легирования в условиях освещения обратной стороны образца при использовании раствора с малой концентрацией HF и высокой концентрацией перекиси водорода. Полученные данные сравниваются с данными для контрольного электролита, не содержащего H[2]О[2]. Исследованы морфология макропор, скорость их роста, пористость, эффективная валентность и количество растворенного кремния в зависимости от приложенного напряжения. Проведены исследования кинетики процесса при низком и высоком напряжении смещения. Обнаружено, что при одинаковой подсветке начальный фототок в перекисном электролите в ~ 2 раза меньше, чем в электролите, не содержащем H[2]О[2], что позволяет утверждать о более низкой квантовой эффективности фототока. Однако с увеличением времени травления ток в перекисном электролите сильно возрастает и становится больше, чем в контрольном электролите. Установлено, что в присутствии H[2]O[2] скорость роста макропор в глубину возрастает более чем в 2 раза, а пористость уменьшается. Вертикальные каналы макропор имеют диаметр, меньший, чем в случае макропор, образовавшихся в водном электролите, и их стенки плохо пассивированы, что обусловливает ветвление и появление вторичных мезопор, число которых возрастает с напряжением. Эффективная валентность растворения кремния (выход по току) в присутствии H[2]O[2] уменьшается до значений, меньших чем 2. Полученные результаты интерпретируются в рамках моделей Геришера и Коласинского
Лихачёв, А. И.
Ключевые слова электрохимическое травление
фотоанодирование
перекись водорода
электролиты
кремний
Астрова, Е. В.
Лихачев, А. И.
Физика и техника полупроводников
2019
Т. 53, вып. 1. - С. 119-131
Имя макрообъекта Ли_фотоанодирование
Тип документа b