| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом жидкофазной эпитаксии на поверхности эпитаксиального слоя In[0.25]GaAsSb, изопериодного с подложкой GaSb(001), впервые сформированы квантовые точки InSb в интервале температур T = 450-467°C. Просвечивающая электронная микроскопия показала, что форма квантовой точки близка к усеченному конусу, а распределение их в ансамбле по высоте и размеру основания является монодисперсным. Крупные квантовые точки (размер основания ~ 30-50 нм, высота 3 нм) имели специфический контраст на изображении в планарной геометрии с дифракционным контрастом, что указывало на присутствие дефектов несоответствия. Модификация химического состава рабочей поверхности подложки за счет нанесения эпитаксиального слоя In[0.25]GaAsSb позволила в 3 раза увеличить плотность ансамбля (1 · 10{10} см{-2}) квантовых точек InSb по сравнению с осаждением непосредственно на бинарное соединение GaSb. |
| Ключевые слова | квантовые точки |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 8. - С. 1146-1150 |
|
| Имя макрообъекта | Сокура_квантовые |
