| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC Электронный ресурс |
|
| Аннотация | При изучении процессов термической карбонизации моноокиси кремния в присутствии нестехиометрического монофторида углерода было обнаружено, что повышение температуры отжига смесей порошков SiO и CF[x] в квазизамкнутом объеме до 1000°С и выше ведет к выделению нитевидных нанокристаллов SiC. Проведенные исследования показали, что параллельно с известным процессом кристаллизации нанонитей SiC в результате взаимодействия паров SiO с угарным газом в их образовании принимает участие неописанное ранее взаимодействие СО с газофазным дифторидом кремния SiF[2]. При температурах ниже 1200°С эта реакция оказывается доминирующей, давая наибольший вклад в выход нанонитей SiC. |
| Ключевые слова | нанонити карбида кремния |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 8. - С. 753-765 |
|
| Имя макрообъекта | Астрова_взаимодействие |
