Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111)
  Бенеманская, Г. В., Дементьев, П. А., Кукушкин, С. А., Лапушкин, М.Н., Сеньковский, Б. В., Тимошнев, С. Н.
  
  Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111), [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 4. - С. 465-469 .- Бенеманская_индуцированные
• Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2334-2337 .- Кукушкин_механизм
• Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si
  Кукушкин, С. А., Шарофидинов, Ш. Ш.
  
  Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2338-2343 .- Кукушкин_новый
• Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия
  Сергеева, О. Н., Солнышкин, А. В., Киселев, Д. А., Ильина, Т. С.., Кукушкин, С. А., Шарофидинов, Ш. Ш., Каптелов, Е. Ю., Пронин, И. П.
  
  Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2379-2384 .- Сергеева_влияние
• Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
  Мизеров, А. М., Кукушкин, С. А., Шарофидинов, Ш. Ш., Осипов, А. В., Тимошнев, С. Н. , Шубина, К. Ю., Березовская, Т. Н., Мохов, Д. В., Буравлев, А. Д.
  
  Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2289-2293 .- Мизеров_метод
• Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
  Тимошнев, С. Н. , Мизеров, А. М., Бенеманская, Г. В., Кукушкин, С. А., Буравлев, А. Д.
  
  Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2294-2297 .- Тимошнев_фотоэмиссионные
• Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов
  Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2313-2315 .- Гращенко_исследование
• Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3C-SiC
  Сорокин, Л. М., Гуткин, М. Ю., Mясоедов, А. В., Kaлмыков, А. Е., Бессолов, В. Н., Кукушкин, С. А.
  
  Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3C-SiC, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2317-2321 .- Сорокин_дислокационные
• Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры
  Китаев, Ю. Э., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В.
  
  Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 10. - С. 2022-2027 .- Китаев_новая
• Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 9. - С. 1841-1846 .- Кукушкин_механизм образования
• Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
  Антипов, В. В., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 2. - С. 385-388 .- Антипов_эпитаксиальный рост пленок
• Пути политипных превращений в карбиде кремния
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Пути политипных превращений в карбиде кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 8. - С. 1443-1447 .- Кукушкин_пути
• Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C1s на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4° и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4°
  Бенеманская, Г. В., Дементьев, П. А., Кукушкин, С. А., Лапушкин, М. Н., Осипов, А. В., Сеньковский, Б. В.
  
  Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C1s на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4° и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4° , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 10. - С. 1348-1352 Бенеманская_спектроскопия
• Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов
  Калинкин, И. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 656-663 Калинкин_влияние
• Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
  Антипов, В. В., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Рубец, В. П.
  
  Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 3. - С. 499-504 .- Антипов_эпитаксиальный рост
• О проблеме регулирования содержания мета-нитротолуола в продуктах гетерофазного мононитрования толуола
  Артемов, А. В., Целинский, И. В., Кукушкин, С. А., Филатова, Е. В., Ашихин, В. В.
  
  О проблеме регулирования содержания мета-нитротолуола в продуктах гетерофазного мононитрования толуола, [Текст] ил.8
• Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2H и 4H карбида кремния
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2H и 4H карбида кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 3. - С. 422-425 .- Кукушкин_микроскопическое
• Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
  Редьков, А. В., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Котляр, К. П., Лихачев, А. И., Нащекин, А. В., Сошников, И. П.
  
  Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 3. - С. 433-440 .- Редьков_эволюция
• Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111)
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Тимошнев, С. Н. , Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Кукушкин, С. А.
  
  Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 346-354 Середин_оптические