Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3C-SiC

Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3C-SiC

Авторы: Сорокин, Л. М. Гуткин, М. Ю. Mясоедов, А. В. Kaлмыков, А. Е. Бессолов, В. Н. Кукушкин, С. А.