| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681820571 |
| Дата корректировки | 11:02:32 9 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.12.48543.35ks | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Сорокин, Л. М. | |
|
Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3C-SiC Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано взаимодействие a + c и a-дислокаций в толстом (14 мю m) полуполярном слое GaN, выращенном методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на темплейте 3C-SiC/Si(001). Показано, что распространение дислокационной полупетли с вектором Бюргерса b = 1/3 (1210) в процессе остывания может быть заблокировано за счет ее реакции с прорастающей дислокацией с вектором Бюргерса b = 1/3 (1213) с образованием дислокационного отрезка с вектором Бюргерса b = (0001). Сделана теоретическая оценка выигрыша в энергии системы в результате такой реакции. В приближении линейного натяжения дислокации показано, что этот выигрыш составляет ~ 7.6 eV/А, что дает ~ 45.6 keV для наблюдаемого нового дислокационного отрезка длиной ~ 600 nm. При этом вклад энергии дислокационного ядра оценивается величиной ~ 19.1 keV. |
| Ключевые слова | пленки |
|
пленочные слои полуполярные слои нитрид галлия нитрид алюминия карбид кремния кремний дислокационные реакции хлорид-гидридная эпитаксия просвечивающая электронная микроскопия |
|
| Другие авторы | Гуткин, М. Ю. |
|
Mясоедов, А. В. Kaлмыков, А. Е. Бессолов, В. Н. Кукушкин, С. А. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 12. - С. 2317-2321 |
| Имя макрообъекта | Сорокин_дислокационные |
| Тип документа | b |
