Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3C-SiC
Сорокин, Л. М., Гуткин, М. Ю., Mясоедов, А. В., Kaлмыков, А. Е., Бессолов, В. Н., Кукушкин, С. А.
Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3C-SiC, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 12. - С. 2317-2321 .-
Сорокин_дислокационные
