| Индекс УДК | 539.21 |
|
Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены основные положения нового метода выращивания объемных, толщиной от 100 мю m и более, монокристаллических пленок AlN, AlGaN и GaN на кремниевых подложках с буферным слоем карбида кремния с последующим их отделением от подложки Si. Суть данного метода заключается в сочетании метода хлорид-гидридной эпитаксии, обеспечивающего высокие скорости роста слоев III-нитридов, с использованием в качестве подложки для роста подложку Si с буферным слоем наномасштабной пленки SiC, выращенной методом замещения атомов. Подложка Si со слоем SiC, выращенным методом замещения, обладает рядом структурных, физических и химических особенностей по сравнению со слоями SiC, выращенными на Si стандартными методами. Показано, что именно эта особенность и позволяет выращивать на ее поверхности толстые, без трещин слои AlN, AlGaN и GaN с последующим и достаточно простым их отделением от подложки. В работе были выращены монокристаллические без трещин слои: AlN толщиной до 300 мю m; AlGaN толщиной до 400 мю m; GaN толщиной до 200 мю m; GaN полуполярной (1124) ориентации толщиной до 35 мю m. |
| Ключевые слова | пленки |
| Другие авторы | Шарофидинов, Ш. Ш. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 12. - С. 2338-2343 |
| Имя макрообъекта | Кукушкин_новый |
