| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C1s на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4° и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4° Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Впервые проведены фотоэмиссионные исследования электронной структуры наноинтерфейса Cs/нано-SiC/Si(111) 4° с использованием синхротронного излучения в диапазоне энергий фотонов 120-450 эВ. Эксперименты проведены in situ при субмонослойных Cs покрытиях на поверхности эпитаксиального слоя SiC, выращенного новым методом замещения атомов подложки на вицинальной поверхности Si(111) 4°. Исследована модификация спектров валентной зоны и остовных уровней C1s, Si 2p. Обнаружено появление индуцированных Cs поверхностных состояний с энергиями связи 1.2, 7.4 эВ и резкое изменение спектра остовного уровня C 1s с появлением двух дополнительных мод. Эволюция спектров показывает, что формирование интерфейса Cs/нано-SiC(111) 4° происходит за счет переноса заряда от адатомов Cs к поверхностным атомам на террасах и ступенях вицинальной поверхности. Обнаружено, что структура С-слоя является неординарной и характеризуется энергетически различными состояниями углерода. |
| Ключевые слова | спектроскопия остовного уровня |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 10. - С. 1348-1352 |
|
| Имя макрообъекта | Бенеманская_спектроскопия |
