Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Мальцев, П. П.

Статьи. Автор - Мальцев, П. П.

• Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs{1}
  Хабибуллин, Р. А., Ячменев, А. Э., Лаврухин, Д. В., Пономарев, Д. С., Бугаев, А. С., Мальцев, П. П.
  
  Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs{1}, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 185-190 .- Хабибуллин_электронный
• Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A
  Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, М. А., Грехов, М. М., Пушкарев, С. С., Лаврухин, Д. В., Мальцев, П. П.
  
  Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 195-203 .- Галиев_структурные
• Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А{III}В{V}
  Громов, Д. В., Мальцев, П. П. , Полевич, С. А.
  
  Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А{III}В{V}, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 223-228 .- Громов_лазерное
• Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
  Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Грехов, М. М., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Коленцова, О. С. , Корниенко, В. В., Кузнецов, К. А., Мальцев, П. П. , Пушкарев, С. С.
  
  Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 322-330 Галиев_генерация
• Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
  Галиев, Г. Б., Пушкарев, С. С., Пушкарёв, С. С., Буряков, А. М., Билык, В. Р., Мишина, Е. Д., Климов, Е. А., Васильевский, И. С., Мальцев, П. П.
  
  Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 529-534 Галиев_генерация
• Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
  Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Клочков, А. Н. , Пономарев, Д. С., Мальцев, П. П. , Зайцев, А. А., Зубов, Ф. И., Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э.
  
  Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 4. - С. 540-546 .- Хабибуллин_энергетический
• Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
  Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Ячменев, А. Э., Мальцев, П. П. , Грехов, М. М., Иляков, И. Е., Шишкин, Б. В., Ахмеджанов, Р. А.
  
  Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 535-539 Пономарев_генерация
• Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
  Галиев, Г. Б., Клочков, А. Н. , Васильевский, И. С., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Виниченко, А. Н., Хабибуллин, Р. А., Мальцев, П. П.
  
  Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 792-797 Галиев_электронные
• Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
  Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Ячменев, А. Э., Павлов, А. Ю., Слаповский, Д. Н., Глинский, И. А., Лаврухин, Д. В., Мальцев, П. П.
  
  Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1267-1272 Пономарев_электрические
• Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
  Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Пушкарев, С. С., Мальцев, П. П.
  
  Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 395-401 Галиев_фотолюминесцентные
• Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
  Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Павлов, А. Ю., Пономарев, Д. С., Томош, К. Н., Мальцев, П. П. , Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э., Зубов, Ф. И.
  
  Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs, [Электронный ресурс] // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1395-1400 .- Хабибуллин_изготовление