| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследовались нелегированные, однородно легированные Si и дельта-легированные Si слои GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 230°C на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией (100) и (111)A. Давление As[4] варьировалось. Шероховатость поверхности образцов определялась с помощьюа томно-силовой микроскопии, кристаллическое совершенство образцов - с помощью рентгеновской дифрактометрии, энергетические уровни различных дефектов - с помощью спектроскопии фотолюминесценции при температуре 79K. Показано, что кристаллическая структура более дефектна в случае использования подложек GaAs (111)A. Также показано влияние величины потока As[4] во время роста на кристаллическую структуру низкотемпературного GaAs, выращенного на разных типах подложек. |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 195-203 |
| Имя макрообъекта | Галиев_структурные |
