| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669563215 |
| Дата корректировки | 13:59:35 20 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Галиев, Г. Б. | |
|
Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A Электронный ресурс |
|
| Structural and photoluminescent properties of low-temperature GaAs grown on GaAs (100) and GaAs (111)A | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Исследовались нелегированные, однородно легированные Si и дельта-легированные Si слои GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 230°C на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией (100) и (111)A. Давление As[4] варьировалось. Шероховатость поверхности образцов определялась с помощьюа томно-силовой микроскопии, кристаллическое совершенство образцов - с помощью рентгеновской дифрактометрии, энергетические уровни различных дефектов - с помощью спектроскопии фотолюминесценции при температуре 79K. Показано, что кристаллическая структура более дефектна в случае использования подложек GaAs (111)A. Также показано влияние величины потока As[4] во время роста на кристаллическую структуру низкотемпературного GaAs, выращенного на разных типах подложек. |
| Пушкарёв, С. С. | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
|
кристаллографическая ориентация спектроскопия фотолюминесценция арсенид галлия полупроводники эпитаксиальные пленки |
|
|
Климов, М. А. Грехов, М. М. Пушкарев, С. С. Лаврухин, Д. В. Мальцев, П. П. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 195-203 |
| Имя макрообъекта | Галиев_структурные |
| Тип документа | b |
