-
Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, Е. А., Зайцев, А. А., Пушкарев, С. С., Клочков, А. Н.
Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110), [Электронный ресурс]
ил., табл.
Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 7. - С. 877-884
Галиев_исследование
-
Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Зайцев, А. А., Клочков, А. Н.
Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 11. - С. 1203-1210
Галиев_Si-легированные
-
Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, М. А., Грехов, М. М., Пушкарев, С. С., Лаврухин, Д. В., Мальцев, П. П.
Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 195-203 .-
Галиев_структурные
-
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Грехов, М. М., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Коленцова, О. С. , Корниенко, В. В., Кузнецов, К. А., Мальцев, П. П. , Пушкарев, С. С.
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 322-330
Галиев_генерация
-
Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
Галиев, Г. Б., Пушкарев, С. С., Пушкарёв, С. С., Буряков, А. М., Билык, В. Р., Мишина, Е. Д., Климов, Е. А., Васильевский, И. С., Мальцев, П. П.
Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 529-534
Галиев_генерация
-
Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме w-сканирования
Васильевский, И. С., Пушкарёв, С. С., Пушкарев, С. С., Грехов, М. М., Виниченко, А. Н., Лаврухин, Д. В., Коленцова, О. С.
Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме w-сканирования , [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 4. - С. 567-573 .-
Васильевский_особенности
-
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
Галиев, Г. Б., Клочков, А. Н. , Васильевский, И. С., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Виниченко, А. Н., Хабибуллин, Р. А., Мальцев, П. П.
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 792-797
Галиев_электронные
-
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Пушкарев, С. С., Мальцев, П. П.
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 395-401
Галиев_фотолюминесцентные
