Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A - Статьи - Базы данных - БГТУ

Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A

Авторы: Галиев, Г. Б. Пушкарёв, С. С. Грехов, М. М. Климов, Е. А. Клочков, А. Н. Коленцова, О. С. Корниенко, В. В. Кузнецов, К. А. Мальцев, П. П. Пушкарев, С. С.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A Электронный ресурс
Аннотация	Методом терагерцевой спектроскопии временного разрешения исследованы спектр и волновые формы импульсов широкополосного терагерцевого излучения, генерируемых низкотемпературными эпитаксиальными пленками In[0.53]Ga[0.47]As при накачке фемтосекундными лазерными импульсами. Пленки In[0.53]Ga[0.47]As были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200°C и при различных давлениях мышьяка на подложках InP с ориентацией (100) и впервые на подложках InP с ориентацией (411)A. Исследованы морфология поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и их структурное совершенство с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Обнаружено, что амплитуда терагерцевого излучения от слоев LT-InGaAs на подложках InP (411)A в 3-5 раз больше, чем от таких же слоев на подложках InP (100).
Ключевые слова	терагерцевое излучение
	Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 3. - С. 322-330
Имя макрообъекта	Галиев_генерация