| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679075978 |
| Дата корректировки | 16:23:02 8 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.03.44201.8312 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Галиев, Г. Б. | |
|
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A Электронный ресурс |
|
| Terahertz radiation from low-temperature-grown epitaxial films InGaAs on (100) and (411)A oriented InP substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 29 назв. |
| Аннотация | Методом терагерцевой спектроскопии временного разрешения исследованы спектр и волновые формы импульсов широкополосного терагерцевого излучения, генерируемых низкотемпературными эпитаксиальными пленками In[0.53]Ga[0.47]As при накачке фемтосекундными лазерными импульсами. Пленки In[0.53]Ga[0.47]As были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200°C и при различных давлениях мышьяка на подложках InP с ориентацией (100) и впервые на подложках InP с ориентацией (411)A. Исследованы морфология поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и их структурное совершенство с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Обнаружено, что амплитуда терагерцевого излучения от слоев LT-InGaAs на подложках InP (411)A в 3-5 раз больше, чем от таких же слоев на подложках InP (100). |
|
Пушкарёв, С. С. Китаёва, Г. Х. |
|
| Ключевые слова | терагерцевое излучение |
|
терагерцевая спектроскопия эпитаксиальные пленки молекулярно-лучевая эпитаксия эпитаксиальные соединения легирование пленок подложки |
|
|
Грехов, М. М. Китаева, Г. Х. Климов, Е. А. Клочков, А. Н. Коленцова, О. С. Корниенко, В. В. Кузнецов, К. А. Мальцев, П. П. Пушкарев, С. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 3. - С. 322-330 |
|
| Имя макрообъекта | Галиев_генерация |
| Тип документа | b |
