Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Климов, Е. А.

Статьи. Автор - Климов, Е. А.

• Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)
  Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, Е. А., Зайцев, А. А., Пушкарев, С. С., Клочков, А. Н.
  
  Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110), [Электронный ресурс] ил., табл. Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 7. - С. 877-884 Галиев_исследование
• Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур {LT-GaAs/GaAs:Si}
  Клочков, А. Н. , Климов, Е. А., Солянкин, П. М., Конникова, М. Р., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н., Шкуринов, А. П., Галиев, Г. Б.
  
  Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур {LT-GaAs/GaAs:Si}, [Электронный ресурс] ил., табл., схем. Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 7. - С. 1004-1011 Клочков_терагерцовое
• Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток {LT-GaAs/GaAs : Si}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
  Галиев, Г. Б., Пушкарёв, C. C., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Копылов, В. Б., Пушкарев, C. C.
  
  Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток {LT-GaAs/GaAs : Si}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 258-266 Галиев_электрофизические
• Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции
  Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Зайцев, А. А., Клочков, А. Н.
  
  Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 11. - С. 1203-1210 Галиев_Si-легированные
• Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
  Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Грехов, М. М., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Коленцова, О. С. , Корниенко, В. В., Кузнецов, К. А., Мальцев, П. П. , Пушкарев, С. С.
  
  Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 322-330 Галиев_генерация
• Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
  Галиев, Г. Б., Пушкарев, С. С., Пушкарёв, С. С., Буряков, А. М., Билык, В. Р., Мишина, Е. Д., Климов, Е. А., Васильевский, И. С., Мальцев, П. П.
  
  Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 529-534 Галиев_генерация
• Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
  Галиев, Г. Б., Клочков, А. Н. , Васильевский, И. С., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Виниченко, А. Н., Хабибуллин, Р. А., Мальцев, П. П.
  
  Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 792-797 Галиев_электронные
• Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
  Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Пушкарев, С. С., Мальцев, П. П.
  
  Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 395-401 Галиев_фотолюминесцентные
• Особенности проявления варроатоза при вирозах
  Масленникова, В. И., Королев, А. В., Климов, Е. А., Кокаева, З. Г.
  
  Особенности проявления варроатоза при вирозах, В. И. Масленникова, А. В. Королев, Е. А. Климов, З. Г. Кокаева ил. // Пчеловодство .- 2021 .- № 9. - С. 33-35 .-
• Вирусная и клещевая нагрузки на пчелиные семьи в Ростовской области
  Масленникова, В. И., Климов, Е. А., Королев, А. В., Кокаева, З. Г., Швецова, А. А.
  
  Вирусная и клещевая нагрузки на пчелиные семьи в Ростовской области, В. И. Масленникова, Е. А. Климов, А. В. Королев [и др.] // Пчеловодство .- 2019 .- № 5. - С. 26-28 .-