Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP

Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP

Авторы: Галиев, Г. Б. Клочков, А. Н. Васильевский, И. С. Климов, Е. А. Пушкарев, С. С. Виниченко, А. Н. Хабибуллин, Р. А. Мальцев, П. П.