| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680197447 |
| Дата корректировки | 15:44:49 21 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.06.44559.8456 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Галиев, Г. Б. | |
|
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP Электронный ресурс |
|
| Electron properties of near-surface quantum wells InGaAs/InAlAs with inverted doping on InP substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 31 назв. |
| Аннотация | Сравниваются электронные транспортные и оптические свойства гетероструктур с приповерхностной квантовой ямой InGaAs/InAlAs при использовании инвертированного (снизу от квантовой ямы) и стандартного (сверху от квантовой ямы) бета-легирования атомами Si. Показано, что при использовании инвертированного легирования происходит увеличение плотности двумерных электронов в квантовой яме по сравнению со стандартным расположением легирующего слоя при идентичных составах и толщинах других слоев гетероструктур. Наблюдаемые особенности низкотемпературного электронного транспорта (осцилляций Шубникова-де-Гааза, эффекта Холла) и спектров фотолюминесценции гетероструктур интерпретированы с помощью моделирования зонной структуры. |
|
квантовые ямы бета-легирование эффект Холла спектры фотолюминесценции гетероструктуры инвертированное легирование легирование арсенид индия-галлия арсенид индия-алюминия |
|
|
Клочков, А. Н. Васильевский, И. С. Климов, Е. А. Пушкарев, С. С. Виниченко, А. Н. Хабибуллин, Р. А. Мальцев, П. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 6. - С. 792-797 |
|
| Имя макрообъекта | Галиев_электронные |
| Тип документа | b |
