Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Васильевский, И. С.

Статьи. Автор - Васильевский, И. С.

• Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур {LT-GaAs/GaAs:Si}
  Клочков, А. Н. , Климов, Е. А., Солянкин, П. М., Конникова, М. Р., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н., Шкуринов, А. П., Галиев, Г. Б.
  
  Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур {LT-GaAs/GaAs:Si}, [Электронный ресурс] ил., табл., схем. Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 7. - С. 1004-1011 Клочков_терагерцовое
• Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
  Сафонов, Д. А., Виниченко, А. Н., Каргин, Н. И., Васильевский, И. С.
  
  Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 201-206 Сафонов_электронный
• Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
  Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Пономарев, Д. С., Ушаков, Д. В., Афоненко, А. А., Васильевский, И. С., Зайцев, А. А., Данилов, А. И., Маремьянин, К. В., Гавриленко, В. И.
  
  Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1268-1273 Хабибуллин_температурная
• Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In[0.2]Ga[0.8]As
  Виниченко, А. Н., Сафонов, Д. А., Каргин, Н. И., Васильевский, И. С.
  
  Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In[0.2]Ga[0.8]As, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 359-364 Виниченко_электронный
• Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
  Галиев, Г. Б., Пушкарев, С. С., Пушкарёв, С. С., Буряков, А. М., Билык, В. Р., Мишина, Е. Д., Климов, Е. А., Васильевский, И. С., Мальцев, П. П.
  
  Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 529-534 Галиев_генерация
• Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме w-сканирования
  Васильевский, И. С., Пушкарёв, С. С., Пушкарев, С. С., Грехов, М. М., Виниченко, А. Н., Лаврухин, Д. В., Коленцова, О. С.
  
  Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме w-сканирования , [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 4. - С. 567-573 .- Васильевский_особенности
• Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
  Галиев, Г. Б., Клочков, А. Н. , Васильевский, И. С., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Виниченко, А. Н., Хабибуллин, Р. А., Мальцев, П. П.
  
  Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 792-797 Галиев_электронные
• Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs
  Гудина, С. В., Арапов, Ю. Г., Ильченко, Е. В., Неверов, В. Н., Савельев, А. П., Подгорных, С. М. , Шелушинина, Н. Г., Якунин, М. В., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н.
  
  Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1447-1454 .- Гудина_неуниверсальное
• Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs
  Гудина, С. В., Арапов, Ю. Г., Савельев, А. П., Неверов, В. Н., Подгорных, С. М. , Шелушинина, Н. Г., Якунин, М. В., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н.
  
  Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1669-1674 .- Гудина_квантовый
• Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям
  Мартовицкий, В. П., Садофьев, Ю. Г., Клековкин, А. В., Сарайкин, В. В., Васильевский, И. С.
  
  Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1570-1575 Мартовицкий_исследование