| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме w-сканирования Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Работа посвящена поиску новых возможностей характеризации особенностей кристаллической структуры с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Особое внимание уделяется режиму сканирования поперек вектора дифракции (w-сканирование), поскольку исследователи обычно уделяют этому режиму мало внимания и его возможности остаются не полностью выявленными. Для кристаллографических направлений [011] и [01I] сопоставлены полуширина w-пика и средний угол наклона профиля поверхности образца. Также исследуются диагностические возможности картографирования рассеяния рентгеновского излучения. Объектами исследования являются полупроводниковые наногетероструктуры с квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAlAs и с метаморфным буфером In[x]Al[1-x]As, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP и GaAs. Наногетероструктуры подобного типа используются при изготовлении микроволновых транзисторов и монолитных интегральных схем. Для более полной характеризации объектов были использованы эффект Холла, атомно-силовая микроскопия, низкотемпературная спектроскопия фотолюминесценции при 79 K. |
| Ключевые слова | метаморфные наногетероструктуры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 4. - С. 567-573 |
| Имя макрообъекта | Васильевский_особенности |
