| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670588067 |
| Дата корректировки | 16:59:29 18 июня 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Васильевский, И. С. | |
|
Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме w-сканирования Электронный ресурс |
|
| Features of metamorphic nanoheterostructures InAlAs/InGaAs/InAlAs analysis by mean of high-resolution X-ray diffraction in w-scanning mode | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Работа посвящена поиску новых возможностей характеризации особенностей кристаллической структуры с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Особое внимание уделяется режиму сканирования поперек вектора дифракции (w-сканирование), поскольку исследователи обычно уделяют этому режиму мало внимания и его возможности остаются не полностью выявленными. Для кристаллографических направлений [011] и [01I] сопоставлены полуширина w-пика и средний угол наклона профиля поверхности образца. Также исследуются диагностические возможности картографирования рассеяния рентгеновского излучения. Объектами исследования являются полупроводниковые наногетероструктуры с квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAlAs и с метаморфным буфером In[x]Al[1-x]As, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP и GaAs. Наногетероструктуры подобного типа используются при изготовлении микроволновых транзисторов и монолитных интегральных схем. Для более полной характеризации объектов были использованы эффект Холла, атомно-силовая микроскопия, низкотемпературная спектроскопия фотолюминесценции при 79 K. |
| Служебное примечание | Пушкарёв, С. С. |
| Ключевые слова | метаморфные наногетероструктуры |
|
наногетероструктуры рентгеновская дифрактометрия дифракция полупроводниковые гетероструктуры полупроводниковые приборы молекулярно-лучевая эпитаксия транзисторы монолитные интегральные схемы спектроскопия фотолюминесценция арсенид алюминия-индия арсенид галлия-индия |
|
|
Пушкарев, С. С. Грехов, М. М. Виниченко, А. Н. Лаврухин, Д. В. Коленцова, О. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 4. - С. 567-573 |
| Имя макрообъекта | Васильевский_особенности |
| Тип документа | b |
