-
Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al[0.32]Ga[0.68]N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона-Холла
Пушкарeв, С. С., Пушкарёв, С. С., Грехов, М. М., Зенченко, Н. В.
Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al[0.32]Ga[0.68]N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона-Холла, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 586-590
Пушкарeв_анализ
-
Влияние оксида церия на сенсорные свойства металлоксидных бинарных нанокомпозитов
Герасимов, Г. Н., Громов, В. Ф., Белышева, Т. В., Иким, М. И., Спиридонова, Е. Ю., Грехов, М. М., Шапочкина, И. В., Брынзарь, В. И., Трахтенберг, Л. И.
Влияние оксида церия на сенсорные свойства металлоксидных бинарных нанокомпозитов, [[Текст]], Герасимов Г. Н. [и др.]
// Журнал физической химии .-
2017 .-
Т. 91, № 10. - С. 1765-1770 .-
-
Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, М. А., Грехов, М. М., Пушкарев, С. С., Лаврухин, Д. В., Мальцев, П. П.
Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 195-203 .-
Галиев_структурные
-
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Грехов, М. М., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Коленцова, О. С. , Корниенко, В. В., Кузнецов, К. А., Мальцев, П. П. , Пушкарев, С. С.
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 322-330
Галиев_генерация
-
Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме w-сканирования
Васильевский, И. С., Пушкарёв, С. С., Пушкарев, С. С., Грехов, М. М., Виниченко, А. Н., Лаврухин, Д. В., Коленцова, О. С.
Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме w-сканирования , [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 4. - С. 567-573 .-
Васильевский_особенности
-
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Ячменев, А. Э., Мальцев, П. П. , Грехов, М. М., Иляков, И. Е., Шишкин, Б. В., Ахмеджанов, Р. А.
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 535-539
Пономарев_генерация
