Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем - Статьи - Базы данных - БГТУ

Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем

Авторы: Пономарев, Д. С. Пономарёв, Д. С. Ячменёв, А. Э. Хабибуллин, Р. А. Ячменев, А. Э. Мальцев, П. П. Грехов, М. М. Иляков, И. Е. Шишкин, Б. В. Ахмеджанов, Р. А.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем Электронный ресурс
Аннотация	Приведены результаты исследований генерации терагерцового (ТГц) излучения с помощью спектроскопии с временным разрешением в структуре с фотопроводящим слоем In[0.38]Ga[0.62]As. Исследуемая структура, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера, позволяет генерировать ТГц излучение с широким спектром частот (вплоть до 6 ТГц). Это связано с дополнительным вкладом фотовольтаического эффекта Дембера в генерацию ТГц излучения. Измеренная эффективность оптико-терагерцового преобразования в такой структуре составляет ~ 10{-5} при достаточно малом оптическом флюенсе ~ 40 мкДж/{2}, что почти на два порядка выше, чем в "низкотемпературном" GaAs.
Ключевые слова	терагерцовое излучение
	Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 4. - С. 535-539
Имя макрообъекта	Пономарев_генерация