| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679595220 |
| Дата корректировки | 16:32:48 14 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.04.44348.8413 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Пономарев, Д. С. | |
|
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем Электронный ресурс |
|
| THz radiation in In[0.38]Ga[0.62]As grown on GaAs wafer with metamorphic buffer layer under femtosecond laser excitation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 29 назв. |
| Аннотация | Приведены результаты исследований генерации терагерцового (ТГц) излучения с помощью спектроскопии с временным разрешением в структуре с фотопроводящим слоем In[0.38]Ga[0.62]As. Исследуемая структура, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера, позволяет генерировать ТГц излучение с широким спектром частот (вплоть до 6 ТГц). Это связано с дополнительным вкладом фотовольтаического эффекта Дембера в генерацию ТГц излучения. Измеренная эффективность оптико-терагерцового преобразования в такой структуре составляет ~ 10{-5} при достаточно малом оптическом флюенсе ~ 40 мкДж/{2}, что почти на два порядка выше, чем в "низкотемпературном" GaAs. |
|
Пономарёв, Д. С. Ячменёв, А. Э. |
|
| Ключевые слова | терагерцовое излучение |
|
фемтосекундные лазерные импульсы подложки GaAs арсенид галлия спектроскопия молекулярно-лучевая эпитаксия |
|
|
Хабибуллин, Р. А. Ячменев, А. Э. Мальцев, П. П. Грехов, М. М. Иляков, И. Е. Шишкин, Б. В. Ахмеджанов, Р. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 4. - С. 535-539 |
|
| Имя макрообъекта | Пономарев_генерация |
| Тип документа | b |
