Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Ячменев, А. Э., Мальцев, П. П. , Грехов, М. М., Иляков, И. Е., Шишкин, Б. В., Ахмеджанов, Р. А.
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 535-539
Пономарев_генерация
