-
Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах
Ячменев, А. Э., Лаврухин, Д. В., Хабибуллин, Р. А., Гончаров, Ю. Г., Спектор, И. Е., Зайцев, К. И., Соловьев, В. А., Иванов, С. В., Пономарев, Д. С.
Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах, А. Э. Ячменев, Д. В. Лаврухин, Р. А. Хабибуллин [и др.]
граф., ил.
// Оптика и спектроскопия .-
2021 .-
Т. 129, вып. 6. - С. 741-746 .-
-
Излучательная эффективность терагерцовых антенн с традиционной топологией и металлической метаповерхностью: сравнительный анализ
Лаврухин, Д. В., Пономарёв, Д. С., Ячменев, А. Э., Глинский, И. А., Зенченко, Н. В., Хабибуллин, Р. А., Гончаров, Ю. Г., Спектор, И. Е., Зайцев, К. И., Пономарев, Д. С.
Излучательная эффективность терагерцовых антенн с традиционной топологией и металлической метаповерхностью: сравнительный анализ, [Электронный ресурс]
ил.
Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 7. - С. 1012-1019
Лаврухин_излучательная
-
Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Пономарев, Д. С., Ушаков, Д. В., Афоненко, А. А., Васильевский, И. С., Зайцев, А. А., Данилов, А. И., Маремьянин, К. В., Гавриленко, В. И.
Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1268-1273
Хабибуллин_температурная
-
Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации*
Лаврухин, Д. В., Пономарёв, Д. С., Галиев, Р. Р., Павлов, А. Ю., Ячменев, А. Э., Глинский, И. А., Хабибуллин, Р. А., Гончаров, Ю. Г., Зайцев, К. И., Пономарев, Д. С.
Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации*, [Электронный ресурс]
ил.
*The 22nd Annual Conference Saratov Fall Meeting 2018 (SFM’18): VI International Symposium ”Optics and Biophotonics“ and XXII International School for Junior Scientists and Students on Optics, Laser Physics&Biophotonics, September 24–29, 2018, Saratov, Russia. https://www.sgu.ru/structure/fiz/saratov-fall-meeting/previousconferences/sara .-
Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 126, вып. 5. - С. 663-669
Лаврухин_плазмонные
-
Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства
Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Жуков, А. Е. , Хабибуллин, Р. А., Маремьянин, К. В., Гавриленко, В. И., Морозов, С. В.
Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 902-905
Цырлин_особенности
-
Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs{1}
Хабибуллин, Р. А., Ячменев, А. Э., Лаврухин, Д. В., Пономарев, Д. С., Бугаев, А. С., Мальцев, П. П.
Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs{1}, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 185-190 .-
Хабибуллин_электронный
-
Эффективная генерация ТГц излучения фотопроводящим источником с локализацией носителей заряда в высокоаспектных плазмонных электродах
Пономарев, Д. С., Лаврухин, Д. В., Ячменев, А. Э., Галиев, Р. Р., Хабибуллин, Р. А., Гончаров, Ю. Г., Зайцев, К. И.
Эффективная генерация ТГц излучения фотопроводящим источником с локализацией носителей заряда в высокоаспектных плазмонных электродах, Д. С. Пономарев, Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев [и др.]
1 файл (637 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-Статья, представленная на конференции "Сверхбыстрые оптические явления (UltrafastLight-2023) " .-
// Оптика и спектроскопия .-
2024 .-
Т. 132, № 1. - С. 105-110 .-
-
Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Клочков, А. Н. , Пономарев, Д. С., Мальцев, П. П. , Зайцев, А. А., Зубов, Ф. И., Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э.
Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 4. - С. 540-546 .-
Хабибуллин_энергетический
-
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Ячменев, А. Э., Мальцев, П. П. , Грехов, М. М., Иляков, И. Е., Шишкин, Б. В., Ахмеджанов, Р. А.
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 535-539
Пономарев_генерация
-
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
Галиев, Г. Б., Клочков, А. Н. , Васильевский, И. С., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Виниченко, А. Н., Хабибуллин, Р. А., Мальцев, П. П.
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 792-797
Галиев_электронные
-
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Ячменев, А. Э., Павлов, А. Ю., Слаповский, Д. Н., Глинский, И. А., Лаврухин, Д. В., Мальцев, П. П.
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1267-1272
Пономарев_электрические
-
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Моисеев, Э. И., Надточий, А. М., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Хабибуллин, Р. А., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом, Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.]
1 файл (282 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 11. - С. 1483-1485 .-
-
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Клочков, А. Н. , Ячменев, А. Э., Бугаев, А. С., Буряков, А. М., Билык, В. Р., Мишина, Е. Д.
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 723-728
Пономарев_исследование
-
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ
Томош, К. Н., Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Хабибуллин, Р. А., Арутюнян, С. С., Мальцев, П.П.
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1434-1438 .-
Томош_исследование
-
Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Павлов, А. Ю., Пономарев, Д. С., Томош, К. Н., Мальцев, П. П. , Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э., Зубов, Ф. И.
Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs, [Электронный ресурс]
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1395-1400 .-
Хабибуллин_изготовление