| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Приведены результаты измерений временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера. На основе результатов численного моделирования зонных диаграмм выбрана оптимальная толщина барьерного слоя In[0.52]Al[0.48]As (4нм), при которой волновые функции электронов в In[0.53]Ga[0.47]As существенно перекрываются с барьерами In[0.52]Al[0.48]As. |
| Ключевые слова | фотовозбужденные носители заряда |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 723-728 |
|
| Имя макрообъекта | Пономарев_исследование |
