| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688477441 |
| Дата корректировки | 11:52:09 25 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46042.8625 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Пономарев, Д. С. | |
|
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 32 назв. |
| Аннотация | Приведены результаты измерений временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера. На основе результатов численного моделирования зонных диаграмм выбрана оптимальная толщина барьерного слоя In[0.52]Al[0.48]As (4нм), при которой волновые функции электронов в In[0.53]Ga[0.47]As существенно перекрываются с барьерами In[0.52]Al[0.48]As. |
|
Пономарёв, Д. С. Ячменёв, А. Э. Бугаёв, А. С. |
|
| Ключевые слова | фотовозбужденные носители заряда |
|
сверхрешетки молекулярно-лучевая эпитаксия метаморфный буфер подложки GaAs |
|
|
Хабибуллин, Р. А. Клочков, А. Н. Ячменев, А. Э. Бугаев, А. С. Хусяинов, Д. И. Буряков, А. М. Билык, В. Р. Мишина, Е. Д. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 723-728 |
|
| Имя макрообъекта | Пономарев_исследование |
| Тип документа | b |
