-
Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, Е. А., Зайцев, А. А., Пушкарев, С. С., Клочков, А. Н.
Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110), [Электронный ресурс]
ил., табл.
Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 7. - С. 877-884
Галиев_исследование
-
Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур {LT-GaAs/GaAs:Si}
Клочков, А. Н. , Климов, Е. А., Солянкин, П. М., Конникова, М. Р., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н., Шкуринов, А. П., Галиев, Г. Б.
Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур {LT-GaAs/GaAs:Si}, [Электронный ресурс]
ил., табл., схем.
Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 7. - С. 1004-1011
Клочков_терагерцовое
-
Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток {LT-GaAs/GaAs : Si}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, C. C., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Копылов, В. Б., Пушкарев, C. C.
Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток {LT-GaAs/GaAs : Si}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 258-266
Галиев_электрофизические
-
Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Зайцев, А. А., Клочков, А. Н.
Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 11. - С. 1203-1210
Галиев_Si-легированные
-
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Грехов, М. М., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Коленцова, О. С. , Корниенко, В. В., Кузнецов, К. А., Мальцев, П. П. , Пушкарев, С. С.
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 322-330
Галиев_генерация
-
Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Клочков, А. Н. , Пономарев, Д. С., Мальцев, П. П. , Зайцев, А. А., Зубов, Ф. И., Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э.
Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 4. - С. 540-546 .-
Хабибуллин_энергетический
-
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
Галиев, Г. Б., Клочков, А. Н. , Васильевский, И. С., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Виниченко, А. Н., Хабибуллин, Р. А., Мальцев, П. П.
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 792-797
Галиев_электронные
-
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Клочков, А. Н. , Ячменев, А. Э., Бугаев, А. С., Буряков, А. М., Билык, В. Р., Мишина, Е. Д.
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 723-728
Пономарев_исследование
-
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Пушкарев, С. С., Мальцев, П. П.
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 395-401
Галиев_фотолюминесцентные
