| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы электрофизические свойства и особенности фотолюминесценции однородно легированных атомами Si слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией поверхности (100) и (111)А. Исследуемые образцы выращивались при одинаковом давлении As[4] в интервале температур роста от 350 до 510°C. Образцы на подложках GaAs (100) имеют n-тип проводимости во всем указанном интервале температур роста, а образцы на подложках GaAs (111)A имеют p-тип проводимости в интервале температур роста 430-510°C. Спектры фотолюминесценции образцов содержат краевую и примесную полосы. Краевая фотолюминесценция соответствует фотолюминесценции вырожденного GaAs с n- и p-типом проводимости. Примесную фотолюминесценцию образцов на подложках GaAs (100) в диапазоне 1.30-1.45 эВ мы приписываем дефектам V[As] и комплексам дефектов Si[As]-V[As], концентрация которых изменяется с температурой роста образцов. Трансформация спектров примесной фотолюминесценции образцов на подложках GaAs (111)А интерпретирована как обусловленная изменением концентрации дефектов V[As] и V[Ga] при изменении температуры роста образцов. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 3. - С. 395-401 |
|
| Имя макрообъекта | Галиев_фотолюминесцентные |
