Поиск

Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах

Авторы: Галиев, Г. Б. Пушкарёв, С. С. Климов, Е. А. Клочков, А. Н. Пушкарев, С. С. Мальцев, П. П.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/687525415
Дата корректировки 11:27:57 14 октября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.03.45628.8589
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Галиев, Г. Б.
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
Электронный ресурс
Photoluminescence investigation of silicon-doped GaAs films grown on (100) and (111)A GaAs substrates at reduced temperatures
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 26 назв.
Аннотация Исследованы электрофизические свойства и особенности фотолюминесценции однородно легированных атомами Si слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией поверхности (100) и (111)А. Исследуемые образцы выращивались при одинаковом давлении As[4] в интервале температур роста от 350 до 510°C. Образцы на подложках GaAs (100) имеют n-тип проводимости во всем указанном интервале температур роста, а образцы на подложках GaAs (111)A имеют p-тип проводимости в интервале температур роста 430-510°C. Спектры фотолюминесценции образцов содержат краевую и примесную полосы. Краевая фотолюминесценция соответствует фотолюминесценции вырожденного GaAs с n- и p-типом проводимости. Примесную фотолюминесценцию образцов на подложках GaAs (100) в диапазоне 1.30-1.45 эВ мы приписываем дефектам V[As] и комплексам дефектов Si[As]-V[As], концентрация которых изменяется с температурой роста образцов. Трансформация спектров примесной фотолюминесценции образцов на подложках GaAs (111)А интерпретирована как обусловленная изменением концентрации дефектов V[As] и V[Ga] при изменении температуры роста образцов.
Пушкарёв, С. С.
Ключевые слова эпитаксиальные пленки
фотолюминесценция
молекулярно-лучевая эпитаксия
кремний
спектроскопия
кристаллографическая ориентация поверхности
арсенид галлия
подложки GaAs
Климов, Е. А.
Клочков, А. Н.
Пушкарев, С. С.
Мальцев, П. П.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 3. - С. 395-401
Имя макрообъекта Галиев_фотолюминесцентные
Тип документа b