Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток {LT-GaAs/GaAs : Si}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
Поиск

Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток {LT-GaAs/GaAs : Si}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А

Авторы: Галиев, Г. Б. Пушкарёв, C. C. Климов, Е. А. Клочков, А. Н. Копылов, В. Б. Пушкарев, C. C.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток {LT-GaAs/GaAs : Si}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
Электронный ресурс
Ключевые слова молекулярно-лучевая эпитаксия
Физика и техника полупроводников
2019
Т. 53, вып. 2. - С. 258-266
Имя макрообъекта Галиев_электрофизические