| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695475026 |
| Дата корректировки | 11:36:24 14 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47110.8918 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Галиев, Г. Б. | |
|
Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток {LT-GaAs/GaAs : Si}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 33 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования впервые предложенных и выращенных полупроводниковых структур, сочетающих свойства LT-GaAs и p-тип проводимости при легировании кремнием. Структуры представляют собой сверхрешeтки {LT-GaAs/GaAs : Si}, где слои LT-GaAs выращены при низкой температуре, в диапазоне 280-350°С, а слои GaAs : Si - при более высокой температуре, 470°С. Дырочный тип проводимости при легировании кремнием обеспечивался использованием подложек GaAs (111)A, выбором температуры роста и соотношения потоков As4 и Ga. Концентрация дырок монотонно уменьшается с понижением температуры роста слоeв LT-GaAs от 350 до 280°С, что объясняется увеличением шероховатости границ раздела слоeв и формированием обеднeнных носителями заряда областей на границах слоeв GaAs : Si и LT-GaAs. Эволюция спектров фотолюминесценции при 77K, вызванная изменением температуры роста LT-GaAs, интерпретирована как обусловленная изменением концентрации точечных дефектов Ga[As], V[Ga], а также комплексов Si[Ga]-V[Ga], V[As]-Si[As], Si[As]-Si[Ga]. |
| Пушкарёв, C. C. | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
|
спектроскопия фотолюминесценции фотолюминесценция сверхрешeточные структуры подложки GaAs арсенид галлия |
|
|
Климов, Е. А. Клочков, А. Н. Копылов, В. Б. Пушкарев, C. C. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 258-266 |
|
| Имя макрообъекта | Галиев_электрофизические |
| Тип документа | b |
