Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток {LT-GaAs/GaAs : Si}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
Галиев, Г. Б., Пушкарёв, C. C., Климов, Е. А., Клочков, А. Н. , Копылов, В. Б., Пушкарев, C. C.
Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток {LT-GaAs/GaAs : Si}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 258-266
Галиев_электрофизические
