| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены результаты исследований морфологии поверхности, электрофизических характеристик и фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных плeнок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (110) и легированных кремнием. Серия исследуемых образцов была выращена при температуре 580°С при отношении парциальных давлений мышьяка и галлия в диапазоне от 14 до 80. С помощью анализа спектров фотолюминесценции выращенных образцов интерпретировано поведение атомов кремния в GaAs с учeтом занятия ими узлов Ga или As (т. е. возникновение точечных дефектов Si[Ga] и Si[As]), а также образования вакансий мышьяка и галлия V[As] и V[Ga]. При анализе спектры фотолюми- несценции образцов на (110)-ориентированных подложках сравнивались со спектрами фотолюминесценции аналогичных образцов на (100)- и (111)A-ориентированных подложках. |
| Ключевые слова | cпектроскопия фотолюминесценции |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 11. - С. 1203-1210 |
|
| Имя макрообъекта | Галиев_Si-легированные |
