| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677609923 |
| Дата корректировки | 17:04:33 21 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.11.50087.9479 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Галиев, Г. Б. | |
|
Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции Электронный ресурс |
|
| Si-doped epitaxial films on GaAs (110) substrates: surface morphology, electrophysical characteristics, photoluminescence spectra | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследований морфологии поверхности, электрофизических характеристик и фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных плeнок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (110) и легированных кремнием. Серия исследуемых образцов была выращена при температуре 580°С при отношении парциальных давлений мышьяка и галлия в диапазоне от 14 до 80. С помощью анализа спектров фотолюминесценции выращенных образцов интерпретировано поведение атомов кремния в GaAs с учeтом занятия ими узлов Ga или As (т. е. возникновение точечных дефектов Si[Ga] и Si[As]), а также образования вакансий мышьяка и галлия V[As] и V[Ga]. При анализе спектры фотолюми- несценции образцов на (110)-ориентированных подложках сравнивались со спектрами фотолюминесценции аналогичных образцов на (100)- и (111)A-ориентированных подложках. |
| Пушкарёв, С. С. | |
| Ключевые слова | cпектроскопия фотолюминесценции |
|
фотолюминесценция молекулярно-лучевая эпитаксия ориентация подложки (110) ориентация подложки (111)А атомно-силовая микроскопия арсенид галлия полупроводниковые соединения |
|
|
Климов, Е. А. Пушкарев, С. С. Зайцев, А. А. Клочков, А. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 11. - С. 1203-1210 |
|
| Имя макрообъекта | Галиев_Si-легированные |
| Тип документа | b |
