-
Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации*
Лаврухин, Д. В., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Павлов, А. Ю., Ячменев, А. Э., Глинский, И. А., Хабибуллин, Р. А., Гончаров, Ю. Г., Зайцев, К. И., Пономарев, Д. С.
Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации*, [Электронный ресурс]
ил.
*The 22nd Annual Conference Saratov Fall Meeting 2018 (SFM’18): VI International Symposium ”Optics and Biophotonics“ and XXII International School for Junior Scientists and Students on Optics, Laser Physics&Biophotonics, September 24–29, 2018, Saratov, Russia. https://www.sgu.ru/structure/fiz/saratov-fall-meeting/previousconferences/sara .-
Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 126, вып. 5. - С. 663-669
Лаврухин_плазмонные
-
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Ячменев, А. Э., Мальцев, П. П. , Грехов, М. М., Иляков, И. Е., Шишкин, Б. В., Ахмеджанов, Р. А.
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In[0.38]Ga[0.62]As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 535-539
Пономарев_генерация
-
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Ячменев, А. Э., Павлов, А. Ю., Слаповский, Д. Н., Глинский, И. А., Лаврухин, Д. В., Мальцев, П. П.
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1267-1272
Пономарев_электрические
-
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Клочков, А. Н. , Ячменев, А. Э., Бугаев, А. С., Буряков, А. М., Билык, В. Р., Мишина, Е. Д.
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 723-728
Пономарев_исследование
