Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения - Статьи - Базы данных - БГТУ

Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения

Авторы: Пономарев, Д. С. Пономарёв, Д. С. Ячменёв, А. Э. Хабибуллин, Р. А. Ячменев, А. Э. Павлов, А. Ю. Слаповский, Д. Н. Глинский, И. А. Лаврухин, Д. В. Мальцев, П. П.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения Электронный ресурс
Аннотация	Приведены результаты исследований электрических и тепловых свойств фотопроводящих антенн для генерации терагерцового излучения на основе выращенного в низкотемпературном режиме GaAs (low-temperature grown GaAs, LT-GaAs) и In[x] Ga[1-x]As c повышенным содержанием индия (x > 0.3). Показано, что мощность джоулева разогрева PH за счет влияния темнового тока в In[x]Ga[1-x]As в 3-5 раз превосходит аналогичную величину для LT-GaAs. Это обусловлено большой собственной проводимостью In[x]Ga[1-x]As при x > 0.38. Была разработана и изготовлена теплоотводящая оснастка для фотопроводящей антенны. Результаты численного моделирования показали, что использование теплоотвода позволяет уменьшить рабочую температуру антенны на 16% для антенны на основе LT-GaAs на 40% для антенны на основе In[0.38]Ga[0.62]As и на 64% для антенны на основе In[0.53]Ga[0.47]As.
Ключевые слова	фотопроводящие антенны
	Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 9. - С. 1267-1272
Имя макрообъекта	Пономарев_электрические