Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/686073579 |
Дата корректировки | 16:08:16 27 сентября 2021 г. |
10.21883/FTP.2017.09.44893.8508 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Пономарев, Д. С. | |
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения Электронный ресурс |
|
Electrical and thermal properties of photoconductive antennas based on In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) grown on metamorphic buffer for generation of THz radiation | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 31 назв. |
Аннотация | Приведены результаты исследований электрических и тепловых свойств фотопроводящих антенн для генерации терагерцового излучения на основе выращенного в низкотемпературном режиме GaAs (low-temperature grown GaAs, LT-GaAs) и In[x] Ga[1-x]As c повышенным содержанием индия (x > 0.3). Показано, что мощность джоулева разогрева PH за счет влияния темнового тока в In[x]Ga[1-x]As в 3-5 раз превосходит аналогичную величину для LT-GaAs. Это обусловлено большой собственной проводимостью In[x]Ga[1-x]As при x > 0.38. Была разработана и изготовлена теплоотводящая оснастка для фотопроводящей антенны. Результаты численного моделирования показали, что использование теплоотвода позволяет уменьшить рабочую температуру антенны на 16% для антенны на основе LT-GaAs на 40% для антенны на основе In[0.38]Ga[0.62]As и на 64% для антенны на основе In[0.53]Ga[0.47]As. |
Пономарёв, Д. С. Ячменёв, А. Э. |
|
Ключевые слова | фотопроводящие антенны |
терагерцовое излучение фотопроводящие материалы полупроводники молекулярно-лучевая эпитаксия |
|
Хабибуллин, Р. А. Ячменев, А. Э. Павлов, А. Ю. Слаповский, Д. Н. Глинский, И. А. Лаврухин, Д. В. Рубан, О. А. Мальцев, П. П. |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 9. - С. 1267-1272 |
|
Имя макрообъекта | Пономарев_электрические |
Тип документа | b |