Поиск

Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения

Авторы: Пономарев, Д. С. Пономарёв, Д. С. Ячменёв, А. Э. Хабибуллин, Р. А. Ячменев, А. Э. Павлов, А. Ю. Слаповский, Д. Н. Глинский, И. А. Лаврухин, Д. В. Мальцев, П. П.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/686073579
Дата корректировки 16:08:16 27 сентября 2021 г.
10.21883/FTP.2017.09.44893.8508
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Пономарев, Д. С.
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
Электронный ресурс
Electrical and thermal properties of photoconductive antennas based on In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) grown on metamorphic buffer for generation of THz radiation
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 31 назв.
Аннотация Приведены результаты исследований электрических и тепловых свойств фотопроводящих антенн для генерации терагерцового излучения на основе выращенного в низкотемпературном режиме GaAs (low-temperature grown GaAs, LT-GaAs) и In[x] Ga[1-x]As c повышенным содержанием индия (x > 0.3). Показано, что мощность джоулева разогрева PH за счет влияния темнового тока в In[x]Ga[1-x]As в 3-5 раз превосходит аналогичную величину для LT-GaAs. Это обусловлено большой собственной проводимостью In[x]Ga[1-x]As при x > 0.38. Была разработана и изготовлена теплоотводящая оснастка для фотопроводящей антенны. Результаты численного моделирования показали, что использование теплоотвода позволяет уменьшить рабочую температуру антенны на 16% для антенны на основе LT-GaAs на 40% для антенны на основе In[0.38]Ga[0.62]As и на 64% для антенны на основе In[0.53]Ga[0.47]As.
Пономарёв, Д. С.
Ячменёв, А. Э.
Ключевые слова фотопроводящие антенны
терагерцовое излучение
фотопроводящие материалы
полупроводники
молекулярно-лучевая эпитаксия
Хабибуллин, Р. А.
Ячменев, А. Э.
Павлов, А. Ю.
Слаповский, Д. Н.
Глинский, И. А.
Лаврухин, Д. В.
Рубан, О. А.
Мальцев, П. П.
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 9. - С. 1267-1272
Имя макрообъекта Пономарев_электрические
Тип документа b