-
Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации*
Лаврухин, Д. В., Пономарёв, Д. С., Галиев, Р. Р., Павлов, А. Ю., Ячменев, А. Э., Глинский, И. А., Хабибуллин, Р. А., Гончаров, Ю. Г., Зайцев, К. И., Пономарев, Д. С.
Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации*, [Электронный ресурс]
ил.
*The 22nd Annual Conference Saratov Fall Meeting 2018 (SFM’18): VI International Symposium ”Optics and Biophotonics“ and XXII International School for Junior Scientists and Students on Optics, Laser Physics&Biophotonics, September 24–29, 2018, Saratov, Russia. https://www.sgu.ru/structure/fiz/saratov-fall-meeting/previousconferences/sara .-
Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 126, вып. 5. - С. 663-669
Лаврухин_плазмонные
-
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN
Слаповский, Д. Н., Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Клековкин, А. В.
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 461-466
Слаповский_сплавные
-
Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
Арутюнян, С. С., Фёдоров, Ю. В. , Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Томош, К. Н., Федоров, Ю. В.
Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 8. - С. 1138-1142
Арутюнян_двухслойная
-
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
Пономарев, Д. С., Пономарёв, Д. С., Ячменёв, А. Э., Хабибуллин, Р. А., Ячменев, А. Э., Павлов, А. Ю., Слаповский, Д. Н., Глинский, И. А., Лаврухин, Д. В., Мальцев, П. П.
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In[x]Ga[1-x]As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1267-1272
Пономарев_электрические
-
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Моисеев, Э. И., Надточий, А. М., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Хабибуллин, Р. А., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом, Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.]
1 файл (282 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 11. - С. 1483-1485 .-
-
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ
Томош, К. Н., Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Хабибуллин, Р. А., Арутюнян, С. С., Мальцев, П.П.
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1434-1438 .-
Томош_исследование
-
Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Павлов, А. Ю., Пономарев, Д. С., Томош, К. Н., Мальцев, П. П. , Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э., Зубов, Ф. И.
Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs, [Электронный ресурс]
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1395-1400 .-
Хабибуллин_изготовление
