| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ Электронный ресурс |
|
| Аннотация | В работе подобран оптимальный режим плазмохимического травления в среде C[3]F[8]/O[2] пассивирующего слоя Si[3]N[4] in situ при изготовлении HEMT AlGaN/AlN/GaN. Установлено, что напряжение смещения на высокочастотном электроде 40-50 В обеспечивает анизотропное травление диэлектрика через резистную маску и не вносит заметных радиационных дефектов при перетраве пленок диэлектрика в области формирования затворной металлизации. Для оценки влияния роста Si[3]N[4] in situ вместе с гетероструктурой в одном процессе на характеристики HEMT AlGaN/AlN/GaN были изготовленные транзисторы с затворами без диэлектрика и с затворами через щели в Si[3]N[4]. Показано, что при наличии Si[3]N[4] максимальный ток стока HEMT AlGaN/AlN/GaN при 0 В на затворе в 1.5 раза выше, чем без Si[3]N[4]. |
| Ключевые слова | плазмохимическое травление |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1434-1438 |
| Имя макрообъекта | Томош_исследование |
