| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675006168 |
| Дата корректировки | 13:59:45 22 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Томош, К. Н. | |
|
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ Электронный ресурс |
|
| Другая форма заглавия | Investigation of the fabrication process of AlGaN/AlN/GaN HEMT with in situ Si[3]N[4] |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | В работе подобран оптимальный режим плазмохимического травления в среде C[3]F[8]/O[2] пассивирующего слоя Si[3]N[4] in situ при изготовлении HEMT AlGaN/AlN/GaN. Установлено, что напряжение смещения на высокочастотном электроде 40-50 В обеспечивает анизотропное травление диэлектрика через резистную маску и не вносит заметных радиационных дефектов при перетраве пленок диэлектрика в области формирования затворной металлизации. Для оценки влияния роста Si[3]N[4] in situ вместе с гетероструктурой в одном процессе на характеристики HEMT AlGaN/AlN/GaN были изготовленные транзисторы с затворами без диэлектрика и с затворами через щели в Si[3]N[4]. Показано, что при наличии Si[3]N[4] максимальный ток стока HEMT AlGaN/AlN/GaN при 0 В на затворе в 1.5 раза выше, чем без Si[3]N[4]. |
| Ключевые слова | плазмохимическое травление |
|
анизотропное травление гетероструктуры молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводники |
|
|
Павлов, А. Ю. Павлов, В. Ю. Хабибуллин, Р. А. Арутюнян, С. С. Мальцев, П.П. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1434-1438 |
| Имя макрообъекта | Томош_исследование |
| Тип документа | b |
