-
Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
Арутюнян, С. С., Фёдоров, Ю. В. , Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Томош, К. Н., Федоров, Ю. В.
Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 8. - С. 1138-1142
Арутюнян_двухслойная
-
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Моисеев, Э. И., Надточий, А. М., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Хабибуллин, Р. А., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом, Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.]
1 файл (282 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 11. - С. 1483-1485 .-
-
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ
Томош, К. Н., Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Хабибуллин, Р. А., Арутюнян, С. С., Мальцев, П.П.
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1434-1438 .-
Томош_исследование
-
Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Павлов, А. Ю., Пономарев, Д. С., Томош, К. Н., Мальцев, П. П. , Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э., Зубов, Ф. И.
Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs, [Электронный ресурс]
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1395-1400 .-
Хабибуллин_изготовление
