Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
Поиск

Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT

Авторы: Арутюнян, С. С. Фёдоров, Ю. В. Павлов, А. Ю. Павлов, В. Ю. Томош, К. Н. Федоров, Ю. В.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
Электронный ресурс
Аннотация Описана технология формирования двухслойной диэлектрической маски Si[3]N[4]/SiO[2] и особенности ее использования в технологии невжигаемых эпитаксиально дорощенных омических контактов для мощных HEMT на гетероструктурах AlGaN/GaN. Предложенная маска Si[3]N[4]/SiO[2] позволяет производить эпитаксиальное доращивание сильно легированных омических контактов методом нитридной молекулярно-лучевой эпитаксии и получать невжигаемые омические контакты с удельным сопротивлением 0.15-0.2Ом · мм и с гладкой морфологией поверхности и края
Ключевые слова двухслойные диэлектрические маски
Физика и техника полупроводников
2016
Т. 50, вып. 8. - С. 1138-1142
Имя макрообъекта Арутюнян_двухслойная