| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671637101 |
| Дата корректировки | 14:16:08 13 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Арутюнян, С. С. | |
|
Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT Электронный ресурс |
|
| Two-layer Si[3]N[4]/SiO[2] dielectric mask for low-resistance ohmic contacts to AlGaN/GaN HEMT | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Описана технология формирования двухслойной диэлектрической маски Si[3]N[4]/SiO[2] и особенности ее использования в технологии невжигаемых эпитаксиально дорощенных омических контактов для мощных HEMT на гетероструктурах AlGaN/GaN. Предложенная маска Si[3]N[4]/SiO[2] позволяет производить эпитаксиальное доращивание сильно легированных омических контактов методом нитридной молекулярно-лучевой эпитаксии и получать невжигаемые омические контакты с удельным сопротивлением 0.15-0.2Ом · мм и с гладкой морфологией поверхности и края |
| Фёдоров, Ю. В. | |
| Ключевые слова | двухслойные диэлектрические маски |
|
диэлектрические маски нитриды светодиоды транзисторы гетероструктуры металлоорганические соединения молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводниковые материалы |
|
|
Павлов, А. Ю. Павлов, В. Ю. Томош, К. Н. Федоров, Ю. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 8. - С. 1138-1142 |
|
| Имя макрообъекта | Арутюнян_двухслойная |
| Тип документа | b |
