Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
Арутюнян, С. С., Фёдоров, Ю. В. , Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Томош, К. Н., Федоров, Ю. В.
Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 8. - С. 1138-1142
Арутюнян_двухслойная
